[求助]芯片发热功耗与TDP的关系及计算问题

各位大佬好，最近组内做了一款低温芯片，由于温度较低对发热比较敏感，要求给出它的发热功耗。搜索有说芯片的功耗最终以热能形式散发，所以可不可以用器件的功耗代表发热功耗。又有查到关于TDP（散热设计功耗），但是不太清楚TDP与发热功耗是否相同，或者近似一致。芯片大多由反相器和传输门构成，还有电阻和负载电容，孩子的想法是用计算反相器和传输门的静态（漏电流）功耗，充放电电容功耗与短路功耗，是否可行。还有个疑问就是tran仿真的漏电流与vdd积分是否可以代表静态（漏电流）功耗，充放电电容功耗与短路功耗三者全部？希望大佬能来解答，帮帮孩子

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